Критично розглянуто можливість визначення у разі зовнішніх впливів змін співвідношення між концентраціями різних центрів люмінесценції в арсеніді галію завдяки аналізу їх спектрів фотолюмінесценції. Встановлено, що гарантовані дані про ці зміни можна отримати лише у разі детального вивчення люкс-яскравісних характеристик домішкових і міждомішкових смуг. Зміна співвідношення інтенсивностей люмінесценції цих смуг свідчить про варіацію концентрації центрів, якщо їх залежності від рівня збудження у вихідних і підданих зовнішньому впливу зразках збігаються.

Методами Оже-електронної та рентгенівської фотоелектронної спектроскопії вивчено склад напилених та синтезованих імплантацією шарів нітриду титану, які застосовуються у мікроелектроніці. Дані Оже-спектрів характеризуються значним перекриттям найбільш інтегральних піків титану та азоту. Розроблено і випробувано простий емпіричний метод оцінки складу плівок на малих площах з використанням відношення інтенсивностей ліній Оже-спектрів. За допомогою імплантації вуглецю та кисню було модифіковано плівки TiN з метою вивчення впливу цих домішок на кількісний аналіз. На відміну від стандартного Оже-аналізу, використання запропонованого методу дає добре кількісне узгодження з даними фотоелектронної спектроскопії та результатами, отриманими за допомогою Principal Component Analysis. Знайдено, що наявність кисню в плівці не дозволяє використовувати стандартну методику проведення кількісного Оже-аналізу. Запропонований метод не має таких обмежень. Показано, що високий вміст вуглецю в плівці суттєво не впливає на можливість отримання кількісних результатів.

Розглянуто алгоритм роботи і структуру побудови мікрочіпу, призначеного для досліджень кінетики утворення агрегатних комплексів у процесі перебігу реакції латексної аглютинації. Вивчено фізичні принципи реєстрації ізотерм адсорбції білків на латексах на основі аналізу розсіяного світла. Наведено результати дослідження реакції адсорбції ферменту протакріну на гідропероксидних латексах.

Індекс рубрикатора НБУВ: З973-045.47

Рубрики:

Комп'ютери та програмування

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Використовуючи теорію про межі, запропоновано загальне представлення для ефективної провідності двофазного композита. Представлення містить два параметри, що залежать від топології композита і можуть бути визначені експериментально.

Проведено теоретичний аналіз з метою подальшої розробки спектрально чутливих елементів для волоконно-оптичних пристроїв, і в тому числі для сенсорів фізичних величин. Проведено прогнозування характеристик таких елементів. Аналіз показав, що коефіцієнт зв'язку між поширюваними модами (падаючими і відбитими) для гратки на оболонці оптичного волокна є достатнім для виготовлення чутливих елементів завдяки тому, що на оболонці можна добитися значної еквівалентної періодичної зміни показника заломлення незважаючи на те, що амплітуда хвилі на оболонці значно менша, ніж на серцевині. Такі гратки можна створювати з використанням фотополімерних середовищ голографічним методом за допомогою лазерів, які працюють в синьо-зеленій області спектра. Можливий також варіант гофрованої за синусоїдальним законом границі між серцевиною і оболонкою волокна, а також між оболонкою та зовнішнім середовищем, наприклад, водою, в якій розчинено різні речовини, що впливають на заломлення і поглинання світлових хвиль, які поширюються у волокні.

Розглянуто існуючу ситуацію в теорії оптичних сталих речовини для різних спектральних ділянок поглинання світла. Наголошено, що досі не існує загальноприйнятої формули для обчислення показника заломлення в рентгенівській області. Проаналізовано співвідношення (одержані на підставі трьох різних підходів) між кутами заломлення та падіння світла для випадку межі поділу прозоре середовище / поглинаюче середовище. Шляхом аналізу відповідних графіків надано оцінку кожному співвідношенню стосовно можливості його практичного застосування. Запропоновано новий варіант закону Декарта - Снеліуса. Вперше отримано вираз, який є повністю обгрунтованим математично та фізично. Його можна рекомендувати для використання, в першу чергу, під час розрахунків багатошарових покриттів елементів рентгенівської оптики. Наголошено на необхідності подальших досліджень у даному напрямку, особливо у разі постановки відповідних експериментів на різних ділянках оптичного та рентгенівського спектрів.

Запропоновано новий підхід до проблеми персонального УФ біодозиметру. За допомогою фоточутливої хіральної домішки стероїдних біомолекул (7-дегідрохолестерин (провітамін D3) або 7-ДГХ-бензоат) у нематичному рідкому кристалі (РК-805) індукується холестерична фаза. У залежності від часу УФ опромінювання спостерігається зміна оптичних характеристик РК матеріалу, яка викликана зміною закручуючої здатності хіральної домішки внаслідок її фотоперетворень.

Розглянуто еволюцію фізичних уявлень про природу головних чинників, під впливом яких формується енергетична структура напівпровідникових кристалів, і, відповідно, їх основні електрофізичні, оптичні, термоелектричні та навіть механічні властивості. До переліку цих чинників необхідно, в першу чергу, віднести: легувальні та залишкові домішки, власні точкові дефекти, протяжні дефекти (типу дислокацій), а також електрично активні термодонори та інші комплекси, які не є результатом прямої домішко-домішкової чи домішко-дефектної взаємодій.

Одержано розв'язок для задачі дифракції оптичних пучків на напівплощині. Отриманий розв'язок побудовано на основі крайової хвилі з дислокацією (EDW), що була введена для аналізу дифракції плоскої хвилі на напівплощині. Показано, що в задачах дифракції EDW відіграє роль власної моди подібно до плоскої хвилі у вільному просторі. Завдяки цьому розв'язок поставленої задачі зводиться до згортки кутового спектра вихідного пучка та EDW.

Запропоновано модель, яка якісно, а в ряді випадків і досить добре кількісно, описує всю сукупність наявних експериментальних результатів з дефектоутворення у Кремнії під час його імплантації легкими іонами. На відміну від уже існуючих моделей, вона враховує процеси дисоціації складних дефектів. У межах припущення про існування приповерхневого поглинаючого шару для вакансій за допомогою теорії груп Лі отримано вирази для просторових розподілів стаціонарних концентрацій вторинних дефектів. Промодельовано поведінку нестаціонарної системи складних дефектів у Кремнії відповідто до концентрації вакансійних пасток, густини іонного струму й енергії імплантованих атомів.

Обгрунтовано широке використання приладів типу "Електронний ніс", які забезпечують необхідну чутливість, відтворюваність і дискримінуючу здатність чутливих елементів, що складають матрицю. Вибір сенсорного набору з відповідною хімічною функціональністю дозволяє проводити аналіз складних хімічних сумішей невідомої природи. Обговорено нову тенденцію добування хімічної інформації з сенсорних масивів, яка грунтується на врахуванні кінетичних особливостей сенсорного відклику для забезпечення адекватного формування хімічних образів та їх класифікації. Застосовано багатомірний аналіз набору даних, який забезпечує зменшення числа сенсорів у масиві та часу відклику сенсорних матриць. Цифрову технологію запахів можна застосовувати не тільки для формування хімічних образів, що використовують інтелектуальні масиви датчиків, але також як ефективний експериментальний підхід для визначення характеристик покриття. Зазначений підхід дозволяє також проводити цілеспрямований пошук чутливих шарів із заданою хімічною функціональністю, що базується на часодозволеному розпізнаванні образів.

Аргументировано широкое использование приборов типа "Электронный нос", обеспечивающих необходимую чувствительность, воспроизводимость и дискриминирующую способность чувствительных элементов, составляющих матрицу. Основываясь на выборе сенсорного набора с соответствующей химической функциональностью, возможно проводить анализ сложных химических смесей неизвестной природы. Обсужден новый подход для получения химической информации от сенсорных массивов, основанный на учете кинетических особенностей сенсорного отклика для обеспечения более адекватного формирования химических образов и их классификации. Рассмотрена процедура многомерного статистического анализа, обеспечивающая уменьшение числа сенсоров в массиве и времени отклика. Цифровая технология запахов может использоваться для формирования химических образов, задействующих интеллектуальные массивы датчиков, эффективного экспериментального подхода для определения характеристик покрытий. Такой подход позволяет также проводить целенаправленный поиск чувствительных слоев с заданной химической функциональностью на основании времяразрешенного распознавания образов.

The reliability of "Electronic nose" applications is mainly based on the sensitivity, repeatability and discernment properties of the sensors composing the array. Due to nature of the chosen sensitive layers, the sensors are particularly suitable to classify environments in which compounds with various chemical functionality play a key role. This article is focusing on the novel strategy aimed at the improving the quality and quantity of chemical information from the sensing instruments based on incorporation kinetic aspects of the array response for perfect formation and improved discrimination of chemical images of the probes. We describe a procedure for reducing both time response and number of elements of gas sensor arrays based on principal component analysis (PCA). Thus, digital aroma technology may be used not only as background for formation of chemical images using intelligent sensor massifs but as well as effective experimental tools for characterization and selection coatings with desired chemical functionality by using time-resolved pattern recognition.

Отримано рекурентні дисперсійні співвідношення для власних мод багатошарової планарної системи. Для ілюстрації розглянуто деяку 5-шарову систему і знайдено розв'язки у вигляді хвилеводних поляритонів. Проаналізовано поведінку та властивості цих розв'язків.

Оптико-поляризаційним методом із застосуванням поляризаційної модуляції виміряно величини механічних напружень, генеровані поверхневим натягом у зразку монокристалічного кремнію. Досліджено розподіл оптичної анізотропії вздовж нормалі до поверхні зразка за різних станів поверхні, що залежать від її обробки. Встановлено, що наявність у кристалі поверхневого шару, який відрізняється за фізичними властивостями від об'єму, спричиняє протяжний розподіл напружень в однорідній частині кристала.

Прямі та зворотні струми в гетероструктурі "аморфний SiC/pSi" вивчено в температурному діапазоні 30 - 80 К. З'ясовано, що в різних діапазонах напруги транспортний струм описується різними механізмами. Зарядження електронних пасток, розташованих у шарі SiC, збільшує прямий струм завдяки зменшенню потенціального бар'єра для дірок. У діапазоні прямих напруг 0,5 - 0,8 В струм визначається стрибковим механізмом зі змінною довжиною стрибка (механізм Мотта) в шарі аморфного SiC. За великих зміщень домінуючим механізмом транспортного струму стає тунелювання крізь трикутний бар'єр поблизу межі поділу "аморфний - кристалічний напівпровідник".

Зроблені теоретичні розрахунки свідчать про те, що квантовий вихід міжзонної випромінювальної рекомбінації у високочистому кремнії, який характеризується надзвичайно низькою концентрацією глибоких домішок і власних дефектів, може перевищувати 10% за кімнатної температури, якщо поверхнева рекомбінація зведена до мінімуму. Проаналізовано залежності квантового виходу від інтенсивності і довжини хвилі збуджуючого монохроматичного світла, швидкості поверхневої рекомбінації і товщини кремнієвої пластини.

Досліджено спектри термостимульованої деполяризації (ТСД) поруватого кремнію (ПК) у температурному діапазоні 77 - 450 К. Виявлено ряд широких максимумів струму ТСД різної величини, що відповідають різним типам заряджених дефектів ПК. Проведено порівняльні дослідження спектрів ТСД шару поруватого кремнію та плівок діоксиду кремнію на монокристалічній кремнієвій підкладці. Встановлено ідентичність низькотемпературних (77 - 300 К) частин таких спектрів. Розраховано енергії активації дефектів і заповнення центрів захоплення ПК. Ідентифіковано низькотемпературні дефекти як іони воднево-кисневого типу. Встановлено вплив інфрачервоного та рентгенівського випромінювань на спектри ТСД поруватого кремнію. З урахуванням зміни спектрів ТСД запропоновано енергетичну схему іонного перенесення зарядів у ПК. Досліджено температурні зміни планарних вольт-амперних характеристик і частотної дисперсії ємності гетероструктур ПК - кремнієва підкладка. Аномальний характер залежностей пояснено особливостями іонного переносу зарядів у ПК.

З`ясовано особливості переносу заряду під впливом лінійно поляризованого світла в фотомагнітних гранатах ЗІГ:Si та ЗІГ:Со. Такий порівняльний аналіз є необхідним для створення бази теоретичної моделі фотоіндукованих магнітних ефектів (ФІМЕ) в гранатах та інших матеріалах, а також для пояснення експериментальних результатів за спостереженням ФІМЕ в ЗІГ:Со навіть за кімнатних температур. Відомі експериментальні результати для ЗІГ:Со адекватно описано у межах запропонованої спрощеної теоретичної моделі.

У роботі запропоновано узагальнену дифузійну модель голографічного запису в фотополімерних матеріалах. Теоретичний опис процесу формування голограм базується на уявленні про перерозподіл об'єму, який утворюється внаслідок локальної усадки полімеру, і застосуванні узагальненого дифузійного рівняння. Запропонована теорія дозволяє врахувати вплив неоднорідності розподілу мономеру в процессі запису і величини усадки на кінетику формування голограми в фотополімерному носії. Продемонстровано визначний вплив співвідношення швидкостей полімеризаційного та дифузійного процесів на властивості голограм. Запропонована модель дозволяє також описати процес формування рельєфу на поверхні реєструючого середовища.

Розглянуто деякі питання застосування піроелектричних сенсорів у мікрофотоелектроніці. Підсумовано дані про головні характеристики різноманітних піроелектричних матеріалів (монокристалів, керамік, тонких плівок). Наведено основні параметри неохолоджуваних тепловізійних перетворювачів зображення, які є перспективним напрямком застосування інфрачервоної техніки.

Рассмотрены некоторые вопросы применения пироэлектрических сенсоров в микрофотоэлектронике. Подытожены данные об основных характеристиках разных пироэлектрических материалов (монокристаллов, керамик, тонких плёнок). Приведены также основные параметры неохлаждаемых тепловизионных преобразователей изображения, которые рассмотрены как перспективное направление применения инфракрасной техники.

Some questions concerning pyroelectric sensors application in micro-photo-electronics are considered. Data upon main characteristics of different pyroelectric materials (single crystals, ceramics, thin films) are summarized. Also represented are basicparameters of uncooled pyroelectric thermal vision image converters as a promising direction of the infrared engineering.